随着工业和科技的快速发展，现有的4G基站，每个阵列最多使用四个发射器和四个接收器（4x4 MIMO）。与之相比，预计采用大规模MIMO阵列的5G基站，每个阵列可使用多达64个发送器和64个接收器。5G网络能比4G网络的数据传输速率高100倍，并且网络延迟低至1ms。

       对比传统分立式 DC / DC IC和外部电感的解决方案，5G基站的电路板组件密度要求更高，尺寸要求更小，且需要实现更高的效率和更低的EMI。 

       基站的输入电压通常为48V，该电压被DC / DC转换器降压至24V或12V，然后进一步降压到多个电源轨，范围从3.3V至1V以下，这些电源轨为基带处理器中的ASIC电路供电。 

       同时，为了减少开关电流引起的传导和辐射EMI，还需要精心对元件布局和放置滤波器组件。DC / DC转换器通常会通过电流回路中的磁场产生传导EMI，而电流回路主要形成在输出功率MOSFET开关节点与地之间以及输入电容与地之间。MOSFET开关节点与电感连接处也会产生辐射电场EMI，由于需要不断在输入电平与地电平切换，因此dV / dt很高，并且电感本身产生的电磁场也会产生辐射。  

      金籁科技软饱和磁芯的封闭式磁路电感、优化的电流环路和集成输入滤波，能大大简化最终设计，确保满足辐射和传导EMI要求。

2023年，金籁科技- 5G 基站电感应用还将加大进度投入新产品研发，紧跟智能科技化的步伐，欢迎各位新老客户量大来询！