高通（Qualcomm）内部型号为 SM4450 的 Snapdragon 4 Gen 2 是首款 4 系列采用 4 奈米制程的行动平台，除了搭载高通 Kryo CPU 时脉速度最高达 2.2GHz，CPU 性能提升高达 10%，可满足日常快速使用外，还支援 Quick Charge 4+ 快充可在短短 15 分钟内将电池电量充至 50%。
Snapdragon 4 Gen 同时支援 120fps FHD+ 萤幕，能提高清晰度和平滑的使用体验。相机方面，Snapdragon 4 Gen 2 搭载的 Spectra ISP 支援多个镜头拍摄，最高画素可达 1 亿 800 万，具有先进的功能，包括更快的自动对焦，以及照片与影片的降噪功能，不过录影功能仅支援 1080p（60fps），并不提供 4K 录影。
拥有全新 AI 增强功能的 Snapdragon 4 Gen 2，基于 AI 的低光技术可在昏暗环境下呈现清晰的图像；而背景噪音消除功能可确保用户在工作或吵杂的环境中清楚的听到通话和影片内容。这也是高通首次在 4 系列之中，将多镜头时间滤波（MCTF）内置在硬体中，为高质量影片提供降噪功能。
Snapdragon 4 Gen 2 亦有 Snapdragon X61 5G 数据机射频系统，支援 5G Sub-6。此外，还提供 Qualcomm Wi-Fi 5 解决方案，可为游戏、串流等带来快速、强大的 Wi-Fi 连接。
金籁科技BPS201210W-R47M-T0由于有以下优点,且经过高通 SM4450平台验証通过.
低铜损 Copper Loss
电流流经线圈所产生之能量损失，此能量损失等于电流大小的平方乘上线圈的电阻 (I2R)，这些能量损失将转换成热能。
低磁芯损耗 Core Losses
磁芯损耗是由于磁芯材料中的交变磁场引起的。磁芯损耗与频率及磁通量变化幅度有关。总磁芯损耗包含三个分量：磁滞损耗，涡流损耗，以及残余损耗。对于不同材料，这三个分量的差别很大。大功率，高频开关稳压器和 RF（高频）的设计要求细心选择磁芯，尽量降低磁芯损耗，以便电感器具有优异的性能。
低涡流损耗 Eddy Current Losses
在电感器的磁芯及绕组中都存在涡流损耗。绕组（或者导体）中的涡流损耗有两种类型：邻近效应和趋肤效应引起的涡流损耗。至于磁芯损耗，在磁场中，磁力线四周的电场是由交变磁力线所产生的，如果磁芯材料存在导电性，就会产生涡流。涡流在一个垂直于磁力线的平面中流动，由于这个现象而造成损耗。
低集肤效应 Skin Effect
集肤效应是指交流电流较顷向于在导体的表面传导而不是在导体的整个横截面上均匀地流动。此现象会造成导体的电阻提高。
导体中的电流产生的磁场会在导体的中间产生涡流，它与导体中间原来的电流方向是相反的。
随着频率的升高，主电流被迫靠近导体的表面流动。
